Accueil - La SIC
This is an example page. It’s different from a blog post because it will stay in one place and will show up in your site navigation (in most themes). Most people start with an About page that …
Je cherche un logement ou un local commercial - La SIC
La SIC gère sur l’ensemble du territoire plus de 200 locaux d’activités qui contribuent au dynamisme économique des quartiers. Vous recherchez un local pour votre activité ? Nous …
SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
例外SiC的产能也非常有限，国外也是刚开始大规模进行6英寸SiC晶圆的投产，未来的主要应用还是IGBT功率器件。 IGBT功率器件主要测试参数
碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 ... - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以 …
碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
SiC是一种非常硬的材料，其硬度仅次于金刚石，其莫氏硬度为9.5，金刚石为10。 这种高硬度使得碳化硅在许多应用中具有优越的耐磨损性。 但是，碳化硅的高硬度同时也带来了制程的挑战 …
Nous contacter - La SIC
20 rue Anatole France (place des Cocotiers, galerie Nouméa centre) 98800 Nouméa Tél. : 050 444 Mail : [email protected] Horaires Accueil : du lundi au vendredi de 7h30 à 16h Caisse : du lundi …
Je suis locataire - La SIC
Munissez vous de votre code d’accès confidentiel disponible auprès de votre agence de proximité ou sur simple demande par mail auprès du centre de relation client : [email protected] Cliquez ici ou …
关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解； - 知乎
Feb 8, 2025 · 一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化 …
第三代半导体GaN和SiC，未来发展将会怎样？ - 知乎
这几年GaN和SiC的呼声很高，但实际应用面并没有铺开，所以未来真的很有潜力吗？未来发展会怎样？
功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘 ...
功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？ sic 平面型mosfet器件加电压偏置测试漏电时漏电为nA级，htrb前后参数差异很小，参数无任何异常， 但加电流 …